RTU002P02T106 دیتاشیت

RTU002P02T106

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RTU002P02T106
حجم فایل 46.332 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت RTU002P02T106

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RTU002P02T106
  • Operating Temperature: +150°C@(Tch)
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 50pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 250mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@4.5V,250mA
  • Package: UMT-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه